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Cristaux titaniques de laser de saphir

Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: CRYLINK
Certification: Iso9001
Quantité de commande min: 1 pièces
Prix: negotiation
Détails d'emballage: carton
Délai de livraison: 3-4 semaines
Conditions de paiement: TT
Capacité d'approvisionnement: 100 morceaux de /month
Détail Infomation
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Matériau laser

,

saphir enduit par titane


Description de produit

Description

Ti : Saphir (le titane a enduit le saphir, Al2O3 : Ti3+) a un large éventail de bande d'émission de 660 à 1050 nanomètre, qui des faciitates un grand choix d'applications existantes et potentielles, telles que les lasers réglables de continu-vague, les oscillateurs mode-verrouillés, les amplificateurs de gazouillement-impulsion, les oscillateurs minces de disque/amplificateurs et les lidars. D'ailleurs, la bande d'absorption du Ti : Le saphir est centré à 490 le nanomètre, s'étendant de 400 à 650 nanomètre, qui le rend approprié aux sources de pompe de beaucoup de différents lasers, par exemple, l'ion d'argon, fréquence a doublé le ND : YAG (ND : YLF), et lasers de cuivre de vapeur. En raison de la vie de fluorescence de 3,2 s, Ti : Des cristaux de saphir peuvent être effectivement pompés par les lampes flash dans les systèmes de haute puissance de laser.

Afin d'obtenir la bonne qualité du Ti : Des cristaux de saphir, le Ti3+ enduisant la concentration doit être gardés assez bas (par exemple 0,15% ou 0,25%). Par conséquent l'absorption limitée de pompe impose habituellement l'utilisation d'une longueur en cristal de plusieurs millimètres, qu'en combination avec la petite taille de tache de pompe (pour l'intensité élevée de pompe) signifie qu'un éclat plutôt élevé de pompe est exigé. Heureusement, le saphir a également une excellente conduction thermique, allégeant des effets thermiques même pour des puissances élevées de laser.

 

Caractéristiques

  • Grande gain-largeur de bande
  • Largeur de bande très grande d'émission
  • Excellente conduction thermique
  • Vie courte d'exciter-état (3,2 nous)
  • Puissance élevée de saturation
  • Sections transversales relativement élevées de laser
  • Seuil de dommages élevé
  • Effet de Kerr fort
  • Longueurs d'onde possibles larges de pompe

 

Applications

  • Lasers d'impulsion de femtoseconde
  • Hauts oscillateurs de taux de répétition
  • amplificateurs laser de Gazouiller-impulsion
  • Amplificateurs à multipassage
  • Amplificateurs régénérateurs
  • Lasers réglables d'onde entretenue de longueur d'onde
  • Génération pulsée de rayon X
  • Oscillateur mince de disque
  • Systèmes de laser de Petawatt

 

Paramètres

Propriété

Valeur

Chemicalformula

Ti3+ : Al2O3

Crystalstructure

hexagonal

Orientation

Parallèle d'A-Axiswithin 5°E-vector au C-axe

Massdensity

3,98 g/cm3

Mohhardness

9

Young'smodulus

335 GPa

Tensilestrength

MPA 400

Meltingpoint

2040°C

Thermalconductivity

33 avec (Mk)

Coefficient de Thermalexpansion

≈5×10-6K-1

Paramètre de résistance de Thermalshock

790 W/m

Refractiveindex à 633 nanomètre

1,76

Temperaturedependence de l'indice de réfraction

13×10-6K-1

Tidensity pour 0,1% à. dopage

4.56×1019cm-3

Caractéristiques

Propriété

Valeur

Fluorescencelifetime

3,2 s

Emissionwavelength

660~1100nm

Centralemission

800nm

Concentrations

(0.05~0.35) % poids

EndConfiguration

Extrémités plates/Flator Brewster/Brewster

Section d'Emissioncross à 790 nanomètre (parallèle de polarisation à l'axe de c)

41×10-20cm2

Coordonnées
june

Numéro de téléphone : +8618699681379